台灣發明 I793893<br>預先形成在富鋰層狀材料表面的活性尖晶石結構,提供尖晶石相的3D通道以利鋰離子遷移,因此可提升倍率性能,降低不可逆電容量。

2023-10-23

案例
台灣發明 I793893<br>預先形成在富鋰層狀材料表面的活性尖晶石結構,提供尖晶石相的3D通道以利鋰離子遷移,因此可提升倍率性能,降低不可逆電容量。